屏蔽材料厚度與屏蔽透射系數(shù)的對應關系
由工業(yè)探傷防護門所關注的劑量率確定的劑量率的基準控制水平是以微芯片/小時（mSv/h）為單位并以mSv.m2n為單位。6X10，B屏蔽傳輸系數(shù)；R輻射源（目標）到焦點的距離，單位米（m）。
由輻射源（目標）在LM的輸出由公式計算。MSV.M2/（mA.H）單元中的泄漏輻射和散射輻射屏蔽是MSV.M2/（mA.min）。工業(yè)探傷防護門屏蔽材料厚度X與屏蔽透射系數(shù)B的對應關系計算如下：
對于給定的屏蔽材料厚度X，工業(yè)探傷防護門相應的輻射屏蔽透射系數(shù)B由公式B=10-x/11：XTVL-b屏蔽材料厚度計算，與TVL相同。對于估計的屏蔽透射因子B，所需屏蔽材料厚度X由公式計算：在公式X=-TVL.19B中，當B達到劑量率基準控制水平H時，計算所需屏蔽透射因子。
泄漏輻射屏蔽的估算方法如下：當工業(yè)探傷防護門焦點達到劑量率基準控制水平H時，通過公式計算屏蔽透射系數(shù)B，然后通過公式計算屏蔽材料厚度X。從H、R到焦點的距離以米（m）為單位，并且劑量率的參考控制水平以微芯片每小時為單位。
13305456411
